日本分析机构在拆解了国产5G手机对5G芯片进行扫描后，认为它的工艺只有14纳米，而一些专家则认为这是7纳米，导致如此混乱的原因在于台积电玩坏了芯片工艺的命名规则。
在16纳米之前，芯片制造企业是以栅极间距来认定芯片工艺的，不过随着通过栅极间距逐渐达到极限，芯片制造企业就无法单纯通过缩短栅极间距来提升芯片性能了，为此引入了FinFET技术。
FinFET技术与此前的采用MOSFET的平面结构可谓是芯片工艺的一项革新性技术，绝缘衬底上凸起的高而薄的鳍可以辅助控制电流，加强了栅对勾到的控制，大幅降低了漏电现象，从而延续了芯片制造工艺的升级。
对于手机处理器、PC处理器这类高性能芯片还可以通过FinFET技术来控制漏电等问题而进一步缩减栅极间距，而对于存储芯片之类为了确保耐用性以及可靠性，就无法进一步缩短栅极间距，因此目前存储芯片止步于10纳米以上工艺，而是通过更多层的设计来增加存储芯片的容量，目前存储芯片已开发出300层以上的3D设计。
既然此前的芯片工艺命名规则已无法延续下去，但是芯片制造企业和芯片设计企业仍然需要芯片制造工艺升级的营销噱头，于是芯片制造企业就根据芯片性能的提升、功耗下降、晶体管密度等参数的升级对芯片工艺命名。
目前全球最先进的三大芯片制造厂Intel、台积电、三星等对芯片工艺的命名都已出现混乱，Intel在三大芯片制造企业中算是较为保守的了，这也导致Intel在14纳米工艺之后一直延迟10纳米、7纳米工艺的量产时间。
对比之下，台积电和三星则较为激进，这也导致它们的10纳米及以下工艺屡屡被质疑并未达到预期的水平，此前Intel就曾指出台积电、三星的7纳米工艺不过与Intel的10纳米工艺相当，高通也曾在内部指出这个问题，不过基于营销的需要大家都默契地很少再谈论这个问题，于是台积电、三星的7纳米、5纳米、3纳米不断升级。
国产的麒零8000S的芯片工艺有被认为14纳米，也有被认为7纳米也就不奇怪，如果按照栅极间距来看，它的工艺与台积电7纳米、14纳米都不会有太大差别，所以日本分析机构认为它是14纳米也没什么错。
如果按照台积电的命名规则，麒零8000S的晶体管密度已达到7纳米，那么说它是7纳米也没错；据称麒零8000S的性能更与5纳米的骁龙888差不多，如此说它接近5纳米工艺更没错了。
骁龙888采用了三星的5纳米工艺，此前台媒digitimes就指出三星的5纳米工艺在晶体管密度方面与台积电的5纳米差太远了，只是比台积电的7纳米EUV工艺稍强，麒零8000S与台积电的7纳米工艺等效，接近三星5纳米工艺的骁龙888并没什么好奇怪的。
麒零8000S引发的争议恰好给中国芯片启发，那就是芯片制造工艺在14纳米之后，其实提升性能已有不同的办法，并不一定需要采用更先进的EUV光刻机来缩短栅极间距提升性能，而可以开辟新的路径，这对于一直难以获得EUV光刻机的中国芯片来说将是一条可行的道路。
